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等离子体增强型原子层沉积
反应腔体:横流模式的单腔反应腔/喷淋模式的双腔反应腔
等离子体产生方式:电容式CCP/电感耦合ICP
衬底规格:4-8寸单片;三维复杂衬底/粉末与颗粒/多孔及高纵深比材料;RT-400 oC,控制精度±1 oC @单腔;RT-500 oC,控制精度±1 oC @双腔
阀门:Swagelok专用ALD阀门,耐热温度200 oC
前驱体源:液态、固态、气态以及臭氧源,容器标准50 mL挥发式容器和100 mL载气辅助式容器,其他规格可定制;最高可配备8路前驱体源
等离子体气源:H2/O2/NH3/ N2
载气:Ar,质量流量控制器
管路源容器加热温度:配可拆卸加热套,RT-250 oC,控制精度±1 oC
真空系统:油泵、防腐油泵、干泵可选
压力传感器:检测范围1000-2.3*10-4 Torr
真空管路:烘烤至200℃,且真空泵前级配置热阱,加热温度300℃
控制:触摸屏+PLC
机柜:可移动铝型材框架,不锈钢面板
尺寸:1280*800*1720mm
选配:臭氧发生器/粉末沉积盘/手套箱耦合/ QCM;尾气处理装置