1.分辨率: SE 3nm@30KV； BSE 6nm@30KV

2.放大倍率: 8倍～300000 倍 (底片放大)

3.电子枪: 翻开式预对中钨丝阴极

4.加速电压: 0～30kV连续可调，0-10kV步进量为100V，10kV以上步进量为1kV

5.具有一键看像功能

6.透镜系统: 三级高性能锥形透镜系统

7.物镜光阑：三个可在真空外调节，无需拆卸镜筒即可更换物镜光阑

8.真空系统： 1个涡轮分子泵，1个机械泵； 样品室真空优于2.6E-3 Pa ，全自动真空控制，具有真空互锁功能

9.探测器标准配置

10.高真空二次电子探测器

11.四分割半导体BSE探测器

12.红外CCD摄像头

13.样品室提供3个可扩展接口，可接 WDS、EDS、BSE 等多种附件和探测器

14.样品台配置（可二选其一）

15.标准样品台（手动）

16.行程： X=80mm,Y=60mm,Z=50mm，T=-5°～+90°,R=360°

17.最大样品直径: Ф175mm；最大样品高度：40mm

18.五轴全自动台中型样品台

19.行程： X=80mm,Y=50mm,Z=30mm，T=-5°～+70°,R=360°

20.最大样品直径: Ф175mm；最大样品高度：20mm

21.注：所有规格样品室均具有防碰撞报警功能